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铝插入层对硅基AlN外延特性的影响
  • ISSN号：1001-5868
  • 期刊名称：半导体光电
  • 时间：2012
  • 页码：826-829
  • 分类：TN304.2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室(筹),北京100084
  • 相关基金：国家自然科学基金项目（61176015,51002085）
  • 相关项目：无浸润层的氮化铟镓量子点生长机理和物性研究
作者： 胡懿彬|郝智彪|胡健楠|钮浪|汪莱|罗毅|
关键词： PA-MBE, ALN, Al插入层, SI衬底, PA-MBE, AlN, Al interlayer, Si substrate
中文摘要：

采用等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）研究了Al金属插入层对Si（111）衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN,否则倾向于获得N极性的AlN。

英文摘要：

The influence of Al interlayer on the growth of AlN on Si（111） substrate was studied by using PA-MBE.It is found that the AlN crystalline quality is improved by introducing the Al interlayer,and the holes on epitaxial surface can be eliminated by adopting a pre-diffusing process.Futhermore,the AlN grown with pre-diffusing Al interlayer proves to be Al-polar,otherwise presenting N-polar characteristics.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所（重庆光电技术研究所）
  • 主编：江永清
  • 地址：重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编：400060
  • 邮箱：soe@163.net
  • 电话：023-65860286
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-5868
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号，1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:5924