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Ar~+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：122-126
  • 语言：中文
  • 相关项目：室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
作者： 韩冰|吴小利|龚海梅|陈江峰|越方禹|吕衍秋|洪学鹍|
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