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Effect of buffer layer thickness and epilayer growth temperature on crystalline quality of InAs0.9Sb
  • ISSN号：0925-8388
  • 期刊名称：Journal of Alloys and Compounds
  • 时间：0
  • 页码：507-511
  • 语言：英文
  • 相关项目：室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
作者： Yu, Shuzhen|Zhang, Tiemin|Jin, Yixin|Xie, Jianchun|Miao, Guoqing|Li, Zhiming|Jiang, Hong|Song, Hang|
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