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p＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN21[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083, [2]中国科学院研究生院,北京100049
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（批准号：50632060）
作者： 吴小利[1,2], 王妮丽[1], 张可峰[1,2], 唐恒敬[1,2], 黄翌敏[1,2], 韩冰[1,2], 李雪[1], 龚海梅[1]
关键词： 铟镓砷, 双异质结, 微波反射, 光电导衰退, InGaAs, double heterojunction, microwave reflection, photo conductivity decay
中文摘要：

采用微波反射光电导衰减法测量了P^＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布，通过对非平衡载流子浓度在P^＋n结中衰减过程的分析，建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系，并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为．

英文摘要：

The lifetime mapping of a p^＋-InP/n-InGaAs/n-InP double heterojunction wafer is measured by the microwavephotoconductivity decay technique,and the mechanism of photoconductivity decay in this material is analyzed. Based on this analysis, the relationship between the measured lifetime and the device parameters is determined, and the abnormal change of lifetime with the decrease in temperature is explained.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754