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Effect of sulfur passivation on the InP surface prior to plasma-enhanced chemical vapor deposition o
  • ISSN号：0268-1242
  • 期刊名称：Semiconductor Science and Technology
  • 时间：0
  • 页码：1--5
  • 语言：英文
  • 相关项目：室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
作者： Zhang, Kefeng|Li, Xue|Gong, Hai Mei|Wu, Xiaoli|Liu, Hongyang|Tang, Hengjing|He, Xiangrong|Wang, Yang|Xu, Qinfei|
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