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Effects of an anodic oxide passivation layer on mesa-type InGaAs (PIN) photodetectors
  • ISSN号：0268-1242
  • 期刊名称：Semiconductor Science and Technology
  • 时间：0
  • 页码：1-3
  • 语言：英文
  • 相关项目：室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
作者： Tang, Hengjing|Zhang, Kefeng|Wu, Xiaoli|Li, Yongfu|Li, Xue|Li, Tao|Gong, Haimei|
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