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闭管扩散Zn对InP表面性质的影响
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN21[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083, 中国科学院研究生院,北京,100049 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083, 中国科学院研究生院,北京,100049 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083, 中国科学院研究生院,北京,100049 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083, 中国科学院研究生院,北京,100049 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:50632060)
作者： 吕衍秋, 庄春泉, 黄杨程, 李萍, 龚海梅
关键词： 闭管扩散, 电化学C-V, 二次离子质谱, 光致发光
中文摘要：

利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
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