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正、背照InGaAs探测器的性能对比研究
  • ISSN号：1007-2276
  • 期刊名称：《红外与激光工程》
  • 时间：0
  • 分类：TN21[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083, 中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083, 中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083, 中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083, 中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083, 中国科学院研究生院,北京,100039 　 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083
  • 相关基金：国家自然科学基金重点资助项目(50632060)
作者： 唐恒敬, 吕衍秋, 吴小利, 张可锋, 徐勤飞, 李雪, 龚海梅
关键词： 探测器, InGaAs, 探测率, 钝化
中文摘要：

为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺,制备了8元台面InGaAs探测器,并测试了正照射和背照射时,器件的I-V、信号和响应光谱.测试结果表明,正照射和背照射情况下,器件的响应信号差别不大,正照射下器件的平均峰值探测率为4.13×1011cmHz1/2W-1,背照射下器件的平均峰值探测率为4×1011cmHz1/2W-1,但背照射情况下器件的响应光谱在短波方向有更好的截止.

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期刊信息
  • 《红外与激光工程》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国航天科工集团
  • 主办单位:天津津航技术物理研究所
  • 主编：张锋
  • 地址：天津市空港经济区中环西路58号
  • 邮编：300308
  • 邮箱：irla@csoe.org.cn
  • 电话：022-58168883 /4/5
  • 国际标准刊号：ISSN：1007-2276
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1261/TN
  • 邮发代号:6-133
  • 获奖情况:
  • 1996年获航天系统第五次科技期刊评比三等奖,1998年获航天系统第六次科技期刊评比二等奖,1997-2001年在天津市科技期刊评估中被评为一级期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:17466