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Effect of buffer thickness on properties of In0.8Ga0.2As/InP with two-step growth technique
  • ISSN号：0925-8388
  • 期刊名称：Journal of Alloys and Compounds
  • 时间：0
  • 页码：587-590
  • 语言：英文
  • 相关项目：室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
作者： Li, Zhiming|Jiang, Hong|Miao, Guoqing|Yu, Shuzhen|Jin, Yixin|Song, Hang|Zhang, Tiemin|
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