位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
p~+-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：1769-1772
  • 语言：中文
  • 相关项目：室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
作者： 吴小利|张可峰|唐恒敬|黄翌敏|李雪|韩冰|王妮丽|龚海梅|
同期刊论文项目
室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
期刊论文 64 会议论文 11 专利 5
同项目期刊论文
Ar~+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除
LBIC技术研究InGaAs线列探测器串音及光敏感区
正照射与背照射InGaAs探测器的性能对比研究
利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究
AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文)
近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响
台面型InGaAs探测器暗电流及低频噪声研究
延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究
InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制
Suppression of extension of the photo-sensitive area for a planar-type front-illuminated InGaAs dete
Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质
Effect of epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/InP grown by two-step
Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As
Effect of buffer layer thickness and epilayer growth temperature on crystalline quality of InAs0.9Sb
Effect of buffer growth temperature on crystalline quality and optical property of In0.82Ga0.18As/In
InGaAs线列探测器的I-V特性研究
256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像
SiN_x钝化256元InGaAs短波红外焦平面探测器
Effect of sulfur passivation on the InP surface prior to plasma-enhanced chemical vapor deposition o
平面型2.6μm InGaAs红外探测器变温特性研究
平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究
Selective wet etching of Al0.7Ga0.3As layer in concentrated HCl solution for peeling off GaAs microt
Effect of buffer thickness on properties of In0.8Ga0.2As/InP with two-step growth technique
A study of two-step growth and properties of In0.82Ga0.18As on InP
InGaAs探测器性能与结面积和周长的关系研究
InGaAs台面探测器的AlN钝化研究
两种钝化结构InGaAs红外探测器低频噪声的研究
红外焦平面可靠性封装技术
Study of the ohmic contacts of n-type InP in InGaAs mesa detectors
晶格失配对InAs_xP_(1-x)/InP发光特性的影响
Near-infrared InGaAs FPAs for space applications
Effects of an anodic oxide passivation layer on mesa-type InGaAs (PIN) photodetectors
InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展
Investigation on growth related aspects of catalyst-free InP nanowires grown by metal organic chemic
Study on the dark signal of near-infrared InGaAs linear detector arrays
Effect of In content of the buffer layer on crystalline quality and electrical property of In0.82Ga0
空间遥感用InGaAs短波红外探测器
利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层
生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响
缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜结构及电学性能的影响
红外焦平面读出电路片上驱动电路设计
平面型2．6μmInGaAs红外探测器变温特性研究
晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响
基于输入失调补偿的暗电流抑制读出电路研究
微波反射光电导衰减法测量InGaAs吸收层的均匀性
InGaAs近红外探测器高可靠封装技术
SiNx钝化256元InGaAs短波红外焦平面探测器
InP／InxGa1-xAs异质结构中Zn元素的扩散机制
空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件
p＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析
Ar^＋刻蚀对InGaAs，n—InP和p-InP表面损伤及消除
闭管扩散Zn对InP表面性质的影响
In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与线列器件
平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究
正、背照InGaAs探测器的性能对比研究
128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究
AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用
In0.53Ga0.47As红外探测器结构设计与器件性能研究
边积分边读出低噪声红外焦平面读出电路研究
近红外256×1元InGaAs焦平面探测器无效像元研究
基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器