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M 面非极性 GaN 材料 MOCVD 生长和特性研究
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：147-150
  • 语言：中文
  • 相关项目：新型快速响应RCE紫外探测器的基础研究
作者： 谢自力，张荣，韩平，刘成祥，修向前，刘斌，李亮，赵红，朱顺明，江若琏，周圣明，施毅，郑有炓|
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