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一维AIN纳米结构制备进展
  • ISSN号:1671-4776
  • 期刊名称:《微纳电子技术》
  • 时间:0
  • 分类:TB34[一般工业技术—材料科学与工程] TB383[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093
  • 相关基金:国家重点基础研究发展规划(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103,2006AA03A142);国家自然科学基金(60421003,60676057);教育部重大项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金(BK2005210)
中文摘要:

采用CVD、碳纳米管模板法等方法已经制成了纳米线、纳米管等多种结构;同时研制成功多种一维纳米结构的降列。用CVD方法合成的AlN纳米线直径为几十纳米、纳米线长度可以达到几十微米;用碳纳米管模板法可以控制AlN纳米线的直径。同时,AlN纳米线也已经在场致发射的研究领域得到应用。综述了AlN一维纳米结构材料的制备方法,分析研究了AlN一维纳米结构的合成反应机理和材料特性。

英文摘要:

Several 1D nano-structures, including nanowires, nanotubes and nanorods, are synthesized by chemical vapor deposition (CVD) or the template of carbon nanotube. Furthermore, the array of the 1D AlN nano-structures is fabricated successfully. The diameter of AlN nanowires synthesized by CVD commonly reaches tens of nanometers and the length reaches up to several tens of microns. And the diameter of AlN nanowires can be controlled by the size of carbon nanotubes, which providing another way to obtain uniform AlN nanowires. The field emission characteristics of AlN nanowires are studied, which can be applied in displaying. The synthesis of 1D AlN nano-structures is summarized systematically, and the synthesis mechanism and the material properties of AlN nano-structures are investigated intensively.

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期刊信息
  • 《微纳电子技术》
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  • 国际标准刊号:ISSN:1671-4776
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1314/TN
  • 邮发代号:18-60
  • 获奖情况:
  • 2002-2003和2003-2004年度,均获信息产业部电子科...,2005-2006年度获信息产业部电子科技期刊学术技术...,中国学术期刊执行(光盘版)检索与评价数据规范优...,2007-2008年度又荣获工业和信息化部电子科技期刊...
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
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