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AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：《功能材料》
  • 时间：0
  • 分类：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学] N304.2[自然科学总论]
  • 作者机构：[1]南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京210093, [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083
  • 相关基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（2006CB6049）;国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目（2006AA03A103,2006AA03A118,2006AA03A142）;国家科学基金资助项目（6039070,60421003,60676057）;教育部重大资助项目（10416）;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（20050284004）
作者： 谢自力[1], 张荣[1], 江若琏[1], 刘斌[1], 龚海梅[2], 赵红[1], 修向前[1], 韩平[1], 施毅[1], 郑有炓[1]
关键词： MOCVD, 超晶格, AlxGa1-xN/AlN, MOCVD, superlattices, AlxGa1-xN/AlN
中文摘要：

用MOCVD技术在（0001）蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的AlN／Al0．3Ga0．7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性。结果表明，缓冲层材料和结构对AlN／Al0．3Ga0．7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的AlN／Al0．3Ga0．7N超晶格材料是一种准二维生长模式。XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性。利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对AlN／Al0．3Ga0．7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93．5％的反射率。

英文摘要：

AlN/Al0. 3Ga0. 7 N superlattices are grown on sapphire （0001） by metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD）. The reflectivity, SEM, AFM and XRD data of the AlxGa1-xN/AlN superlattices are presented. The result of atomic force microscopy indicates that the AlN/AlGaN superlattices grow on GaN template under quasi-two-dimensional mode. The superlattice has very smooth surface and the interface was distinct. No cracks are observed in the area of the 2-inch wafer.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30166