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中文摘要：
设计了3种不同的抛光液并进行一系列抛光试验，得到机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率，分析了化学机械抛光时硅片与抛光垫之间接触形式的判别方法及其抛光机理．结果表明：化学机械抛光中的主要作用为磨粒的机械作用；材料的去除率主要为磨粒与抛光液交互作用所引起的材料去除率；硅片表面材料的去除形式主要为化学作用下的二体磨粒磨损；化学机械抛光时硅片与抛光垫之间的接触形式为实体接触．
英文摘要：
Three different slurries were used to polish silicon wafers in a series tests, and the material removal rate （MRR） due to mechanical action, chemical action, and interaction was investigated. The criteria of contact modes tween abrasives and polishing slurry. The main material removal of silicon wafer surfaces was two body abrasive wear under chemical interaction. Solid-solid contact was the main contact form between silicon wafer and polishing pad during chemical mechanical polishing.
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