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ULSI制造中铜CMP抛光液的技术分析
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连116024, [2]江南大学,江苏无锡214112
  • 相关基金:国家自然科学基金重大项目资助(50390061);中国博士后科学基金资助(20060390984)
中文摘要:

对ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程、影响因素和抛光液的重要作用,讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能,对研究铜化学机械抛光的电化学手段进行了阐述和机理分析,指出了铜化学机械抛光今后的研究趋势和重点以及抛光液研究的发展方向。

英文摘要:

The development trend and demand of interlayer medium CMP were discussed. Material removal process and infection factor of copper CMP were analyzed, the important effect of slurry was also analyzed. Two kinds of acidity and alkalescence copper slurry were discussed on their Composing and some constituent functions. Electrochemistry means of copper CMP was expounded and analyzed. The research and development trends for copper CMP and the slurry were pointed out.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070