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中文摘要：
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（ 〉50％），并且随着波长的增大，透过增强．MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4．79×10^2Ω．cm，载流子迁移率为4．6×10^2cm^2．V^-1．s^-1，载流子浓度为2．83×10^13cm^-3。较低的载流子浓度，有利于降低探测器的噪声及提高探测器的能量分辨率。
英文摘要：
A new semiconductor material of mercury indium teUuride （MIT） for near-infrared photodetectors was investigated. MIT single-crystal has been successfully grown by vertical Bridgman method and was characterized by means of X-ray analysis, UV-NIR-IR and Hall measurement. The results show that MIT crystal with defect zinc-blende structure is n type semiconductor with high transmittance （over 50%） in the middle and far infrared region. MIT. The resistivity, carrier concentration and carder mobility at room temperature were 4.79×10^2Ω.cm, 2.83×10^13cm^-3 and 4.6×10^2cm^2.V^-1.s^-1, respectively. The low carder concentration is beneficial to reduce noise of detectors and enhance the energy resolution of the devices.
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