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中文摘要：
在NiS纳米粒子的辅助下，采用CVD方法，在NiS-Zn系统中成功地合成了长为25μm，直径大约200nm的具有立方相闪锌矿结构ZnS纳米线，其最优生长方向为[111]。由PL谱可知，在437．2nm处有一个很强的发射峰，说明ZnS纳米线具有很好的发光特性和单晶质量。并提出了氧化还原反应作用下的VLS生长机制，较好的解释了ZnS纳米线的形成过程。
英文摘要：
ZnS single-crystal nanowires were successfully synthesized on a silicon substrate with the assistance of NiS nanopartieles via a simple CVD method. The as-synthesized ZnS nanowires were 200 nm in average diameter and 25μm in length, with zinc blende structure growing along the orientation of [111]. With PL spectrum, a strong emission centered at 437. 2nm was observed, which reveals that the higher optical quality of ZnS nanowires. A possible combined growth mechanism of redox reaction and VLS was proposed to understand the growth of the ZnS nanowires.
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