位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
二元合金垂直Bridgman晶体生长过
  • 期刊名称：人工晶体学报，已录用
  • 时间：0
  • 相关项目：化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
作者： 陆军，白博峰，郭烈锦
同期刊论文项目
化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
期刊论文 149 会议论文 30
同项目期刊论文
The Effects of dislocation in
籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸Cd
Behaviors of impurities in Cd0
正交梯度下双扩散对流的数值模拟
非等温相变问题的双倒易边界元法
A modified vertical Bridgman m
Effects of low-temperature ann
Magnetization and susceptibili
Photoluminescence analysis on
Effects of annealing on the pr
Effects of in doping on the pr
Photoluminescence analysis of
Growth, structure and electric
Cd1-xZnxTe: Growth and charact
Metal–CdZnTe contact and its
Thermal and solute transportat
Microstructure and Micromorpho
同步辐射光电子能谱研究Au/CdZnT
垂直Bridgman多组元化合物晶体生
垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnx
碲铟汞晶体的生长研究
Thermal treatment of detector-
Investigation of the optical p
The growth and characterizatio
Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及
p-CZT的钝化处理和C-V特性研究
Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT
Vertical Bridgman Growth of Hg
碲铟汞晶体的生长及其电学特性
多组元化合物晶体生长过程中的双
Characteristics of doped Indiu
表面损伤层对Hg1-xMnxTe 晶片电
Electrical properties and elec
Numerical Simulation of Non- I
Residual stress and strain in
Time Evolution of Double-Diffu
Growth of ZnSe single crystals
Numerical investigation on the
Study of dislocations in CdZnT
CdZnTe晶片表面钝化研究
CdZnTe晶片表面化学抛光研究
Growth of In doped CdZnTe by v
Growth of Cd1-xZnxTe crystals
The study on the surface state
稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强
Correlation between the x valu
CdZnTe晶体热处理诱生的层错研究
Cd0.8Mn0.2Te晶体的生长及其性能
Correlation between ingot diam
Effects of two-step annealing
Effect of annealing on the res
Infrared transmission spectra
The study on Schottky contact
Single-crystal growth of mercu
Impurities in CdZnTe crystal g
Experimental study the solidif
碲锌镉晶体晶格畸变的测定与分析
环形容器内双扩散对流的数值模拟
Surface passivation and electr
垂直Bridgman法多组元晶体生长的
圆柱腔体内水凝固过程热对流实验
The surface leakage currents o
Characterization of HgMnTe cry
The photoluminescence of ZnSe
The Damages and Defects Induce
Effect of surface damaged laye
新型近红外光电探测材料碲铟汞的
In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响
Cd0.9Zn0.1Te晶体中的In掺杂研究
The study of dislocations in C
II－VIs化合物的热物性报告
Structure characterizations an
Au／p-CdZnTe欧姆接触的研究
Correlation between the low- t
Study on the behaviors of impu
The atomic and electronic stru
Dislocation-induced IR absorpt
HgInTe晶体的生长及其性能研究
Microhardness of Hg1-xMnxTe
Levels of CdZnTe induced by do
Atomic and electronic structur
用NH4Cl-H2O溶液共晶凝固实验模
Preliminary Study of Non-Isoth
Study on interface barrier bet
CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损
Investigation on the electrica
The stratification phenomena i
The interface reaction and Sch
Upgradation of CdZnTe by an- n
Au/ p_-CZT晶体的光致发光以及电
化合物晶体Bridgman生长过程中的
Effects of Cd compensation on
改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe
垂直布里奇曼法生长的Cd_（0.8）Mn_（0.2）Te单晶体中Te沉淀相分析
以CuSe纳米粒子为催化剂制备超长ZnSe纳米线
ZnCl2·2NH4Cl结晶过程及其热分解行为
二元半导体合金垂直Bridgman晶体生长的热质对流Ⅰ-原型炉
二元半导体合金垂直Bridgman晶体生长的热质对流Ⅱ-三段热管炉
单质直接气相生长ZnSe单晶
ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究
Cd0．8Mn0．2Te晶体生长及结晶质量评价
P—CZT的钝化处理和C-V特性研究
ZnSe单晶CVT法生长与系统优化
CdZnTe晶体(111)面摇摆曲线不唯一现象研究
Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析
稀磁半导体Hg0．89Mn0．11Te磁化强度及磁化率的研究
水热法制备氧化锌纳米棒
改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象
同步辐射光电子能谱研究Au/CdZnTe的接触势垒
稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te的微观缺陷腐蚀规律
Cd0.8 Mn0.2Te晶体的生长及其性能
垂直Bridgman法晶体生长中的非等温相变现象初探
双扩散对流条件下圆柱容器内温度场和浓度场分层现象
表面损伤层对Hg1-xMnxTe晶片电学参数的影响
一维ZnE（E=S，Se）纳米结构的气相合成
AuCl3/HgI2与Au/HgI2接触的I-V特性表征
化合物晶体Bridgman生长过程中的溶质再分布
非等温相变问题的双倒易边界元法求解
多组元化合物晶体生长过程中的双扩散对流现象
垂直Bridgman多组元化合物晶体生长热质对流
碲铟汞多晶料合成与晶体生长
金属／Hg1-xMnxTe接触的I-V特性研究
新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
ZnSe多晶料的提纯与化学比的控制
Au与p-CZT接触的界面势垒研究
Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT表面处理状态的影响
CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定
CdZnTe晶体缺陷的透射电子显微分析
Au／p—CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析
ZnSe多晶料的合成方法及其工艺研究
ZnSe多晶料预处理原理与方法
Au／p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究
The photoluminescence of ZnSe bulk single crystals excited by femtosecond pulse
Synthesis of ZnS whiskers and their photoluminescence properties
开放体系优化ZnSe多晶原料化学计量比
一维ZnE（E=S，Se）网状微米晶须的化学气相合成及生长机理研究
立方闪锌矿结构ZnS纳米线的合成与表征