位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Cd0.8 Mn0.2Te晶体的生长及其性能
  • ISSN号:1674-4926
  • 期刊名称:《半导体学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TN304.26[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]西北工业大学材料学院,西安 710072
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(批准号;50336040)
中文摘要:

通过适当的工艺措施,采用传统布里奇曼法生长了尺寸为φ30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶体.对晶体进行了X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线、紫外-可见光光谱、红外透过率及电阻率测试.测试结果表明,晶体结构为立方型,半峰宽较低,吸收边为720nm,对应禁带宽度为1.722eV,晶体的红外透过率和电阻率都较高.并讨论了晶体中的缺陷对红外透过率和电阻率的影响.

英文摘要:

By optimizing growth parameters,a vertical Bridgman method is successfully used to grow a Cd0.8Mn0.2Te crystal with a size of Φ30mm × 120mm. The as-grown crystal is characterized by X-ray powder diffractometer, X-ray double-crystal diffractometer,ultraviolet visible-near infrared spectrum, and IR transmittance and resistivity measurements. The results show that the as-grown crystal has a cubic structure with lattice constant α≈0. 6454nm, and its absorption edge is 720nm, corresponding to the band gap of 1. 722eV. The results also show high crystallinity, high IR transmittance, and high resistivity. The effect of crystal defects on the IR transmittance and resistivity is discussed.

同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《半导体学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编:李树深
  • 地址:北京912信箱
  • 邮编:100083
  • 邮箱:cjs@semi.ac.cn
  • 电话:010-82304277
  • 国际标准刊号:ISSN:1674-4926
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:7754