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中文摘要：
提出了一种横向微堆积大功率半导体激光器线阵的新结构，在相同的注入电流下提高了器件的输出光功率，有效缓解了大电流下的器件热烧毁和光学灾变性毁坏（COD）。制备了横向微堆积三有源区半导体激光器线阵列，在50A的工作电流下，其输出光功率可达到79．3W，斜率效率可达1．81W／A，是传统单有源区bar条的两倍多。
英文摘要：
A new structure of transverse micro-stack semiconductor laser bars is put forward to improve the output optical power of semiconductor laser bars at low injection current, which can effectively lessen the thermal damage and catastrophic optical damage（COD）. Micro- stack tunnel regeneration tri-active regions laser diode bars are fabricated. Experiments show that the output optical power is 79.3 W and slope efficiency exceeds 1.81 W/A under 50 A driving current, which is two times of that of the traditional single-active bars.
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