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Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响
  • ISSN号：1005-0086
  • 期刊名称：《光电子．激光》
  • 时间：0
  • 分类：TN312.8[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]北京工业大学电子信息和控制工程学院,北京市光电子技术实验室
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(60506012);北京市科委重点资助项目(D0404003040221);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504);北京工业大学第六届研究生科技基金资助项目
作者： 丁亮[1], 李建军[1], 康玉柱[1], 于晓东[1], 邓军[1], 韩军[1], 沈光地[1]
关键词： 红光发光二极管(LED), 金属有机物化学气相沉积(MOCVD), GAP, Ⅴ/Ⅲ比
中文摘要：

利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD),对红光发光二极管(LED)的窗口层掺杂进行研究。分别在Ⅴ/Ⅲ比为13、26和52的情况下生长GaP材料,结果发现,Ⅴ/Ⅲ比影响Mg的掺杂浓度和载流子迁移率。在上述Ⅴ/Ⅲ比下生长的GaP,外延生长出红光LED外延片并制备器件,结果发现,生长GaP层时,Ⅴ/Ⅲ比为52的红光LED与Ⅴ/Ⅲ比为13相比,输出光功率提高了23.7%,轴向光强提高了20.4%。

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期刊信息
  • 《光电子．激光》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:天津市教育委员会
  • 主办单位:天津理工大学 中国光学学会
  • 主编：巴恩旭
  • 地址：天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编：300384
  • 邮箱：baenxu@263.net baenxu@aliyun.com
  • 电话：022-60214470
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-0086
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1182/O4
  • 邮发代号:6-123
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:16551