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AlGaAs湿法氧化的热稳定性研究
  • ISSN号:1001-5078
  • 期刊名称:激光与红外
  • 时间:0
  • 页码:871-873
  • 语言:中文
  • 分类:TN305.5[电子电信—物理电子学] TN248.4[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京100022
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(No.69889601);国家“863”高技术计划资助项目(No.2002AA312070):致谢:感谢国家自然科学基金资助项目、国家“863”高技术计划资助项目的资助,感谢北京工业大学光电子实验室的韩金茹、王冬凤、王学忠等老师、M0CVD组及实验技术人员在研究中的大力支持,感谢中科院半导体所李国华、丁坤老师在拉曼测试中的帮助.
  • 相关项目:单芯片白光发光二极管机理及其关键技术的研究
中文摘要:

文中针对AlGaAs湿法氧化后器件热稳定性变差,导致性能下降的问题进行了研究。对不同氧化条件下样品的热稳定性进行了比较,证明采用降低炉温、延长氧化时间以及经过预加热处理等方法可以有效提高器件的热稳定性。利用拉曼谱分析了AlGaAs湿法氧化技术中影响热稳定性的因素,认为器件的热稳定性在一定程度上取决于湿法氧化生成物中挥发性产物含量的多少。

英文摘要:

The effect of wet oxidization of the Al0. 98 Ga.0.02 As layer on the thermal stability of devices has been studied in different oxidation conditions. A significant improvement in thermal stability of the oxidized Al0.98 Ga.0.02 As layer has been achieved by lowing the oxidation temperature, prolong the oxidation time and preheating the samples before the oxidation, which can be used to fabricate reliable devices. The thermal stability is strongly related to the removal of volatile products as evidenced by the Raman spectroscopy.

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期刊信息
  • 《激光与红外》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中华人民共和国信息产业部
  • 主办单位:华北光电技术研究所
  • 主编:周寿桓
  • 地址:北京市朝阳区三仙桥路4号11所院内
  • 邮编:100015
  • 邮箱:jgyhw@ncrieo.com.cn
  • 电话:010-84321137 84321138
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5078
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2436/TN
  • 邮发代号:2-312
  • 获奖情况:
  • 无线电子学、电信技术核心期刊,1991年首届全国优秀国防科技期刊二等奖,1991年全国光学期刊二等奖,2007-2008年,获工业和信息化部“电子科技期刊学...,2009-2010年获工业和信息化部“优秀期刊奖”
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:11856