位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究
  • ISSN号：1000-3819
  • 期刊名称：《固体电子学研究与进展》
  • 时间：0
  • 分类：TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]北京工业大学电控学院光电子技术实验室 北京工业大学电控学院光电子技术实验室 北京 100022
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:60506012);; 北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003);; 北京工业大学科技基金项目(批准号:52002014200403)
作者： 牛南辉[1], 王怀兵[1], 刘建平[1], 邢燕辉[1], 韩军[1], 邓军[1], 沈光地[1]
关键词： 铟镓氮, 镁掺杂, 霍尔测试, X射线双晶衍射, 原子力显微镜, 金属有机物化学气相淀积, InGaN, Mg doping, Hall test, DCXRD, AFM, metalorganic chemical vapor deposition
中文摘要：

利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN∶Mg薄膜。这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义。

英文摘要：

The electrical properties of InGaN:Mg films grown by MOCVD with various growth temperature and Mg-doping concentration were investigated.The hole concentration increases with the In mole fraction.In spite of the continuous increase of Mg incorporation,the hole concentration of the film increases at first and then decreases from a certain amount of Mg incorporation.The high quality InGaN:Mg film with maximum hole concentration value of 2.4×1019cm-3was obtained by optimizing these two growth conditions.The hi...

同期刊论文项目
单芯片白光发光二极管机理及其关键技术的研究
期刊论文 65 会议论文 1
同项目期刊论文
AlInGaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器温度特性的对比研究
GaN基蓝光大功率发光二极管的研制
GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响
高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
AlGaAs湿法氧化的热稳定性研究
InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究
Sacrificial Al0.8Ga0.2As etching for microstructures in integrated optoelectronic devices
Investigation of high hole concentration Mg-doped InGaN epilayer
激光剥离Al_2O_3/GaN中GaN材料温度场的模拟
GaN基发光二极管的可靠性研究进展
半导体结构中局域弹性应变场的电子背散射衍射分析
基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合
电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响
InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究
两基色白光LED的光视效能的研究
两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤
Cl_2/BCl_3ICP刻蚀蓝宝石研究
The scalability of the tunnel-regenerated multi-active-region light-emitting diode structure
可调谐微腔发光二极管微光机电系统悬臂梁的特性
GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究
注入电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响
GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析
p-InGaN与Ni/Au的欧姆接触特性研究
ICP刻蚀GaP研究及对LED性能的影响
等离子体处理对GaN发光二极管性能影响
Cascade single-chip phosphor-free white light-emitting diodes
表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响
两基色白光LED的配色研究
The effect of polarization and non-uniform carrier distribution in the GaN-based light emitting diod
A flip-chip AlGaInP LED with GaN/sapphire transparent substrate fabricated by direct wafer bonding
Strain field in GaAs/GaN wafer-bonding interface and its microstructure
The electroluminescence spectra of dual wavelength GaN-based light emitting diodes
激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究
应用高频激励源制备低应力氮化硅薄膜研究
亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响
GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究
GaN基发光二极管寿命测试及失效分析
宽调谐范围垂直腔面发射激光器特性分析及设计
GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响
GaN基双波长发光二极管电致发光谱特性研究
Color rendering and luminous efficacy of trichromatic and tetrachromatic LED-based white LEDs
激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底
InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长
隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布
Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响
焊料空隙对隧道再生半导体激光器温度分布的影响
焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响
内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究
双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究
Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响
传输矩阵法在多量子阱红外探测器结构设计中的应用
隧道再生半导体激光器的三维稳态热特性研究
半导体激光器线阵的瞬态热特性研究
横向微堆积大功率半导体激光器线阵的制备
生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性
载流子输运和寄生参数对隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器调制特性的影响
Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究
基于Au/Au直接键合的高亮度ODRLED
用PL谱评测多量子阱红外探测器外延材料
两基色、三基色和荧光粉转换白光LED配色研究
隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究
蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响
Micromechanical tunable vertical-cavity surface-emitting lasers
多量子阱红外探测器垂直光耦合研究
期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编：杨乃彬
  • 地址：南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编：210016
  • 邮箱：gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话：025-86858161
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3819
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:2461