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两基色、三基色和荧光粉转换白光LED配色研究
  • ISSN号：1000-3819
  • 期刊名称：《固体电子学研究与进展》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.26[电子电信—物理电子学] TN304.055[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Institute of Information, Beijing Optoelectronic Technology Laboratory, Beijing University of Technology Beijing 100022, China
  • 相关基金：This work is supported by National Natural Science Foundation of China （grant No. 60506012） and Beijing Education committee Found（No. KZ200510005003）
作者： 顾晓玲[1], 郭霞[1], 林巧明[1], 梁庭[1], 郭晶[1], 沈光地[1]
关键词： 晶体生长中断, INGAN/GAN多量子阱, 氮化铟镓, MOCVD, CLC number TN305
中文摘要：

InGaN/GaN MQW 结构被 MOCVD 种。InGaN/GaN MQW 的光、结构的性质上的生长打断时间的效果被调查。试验性的结果证明生长打断能改进接口质量，增加光致发光(PL ) 和 electroluminescence (EL ) 的紧张；但是如果打断时间太长，在 MQW 的作文的井厚度和一般水准减少了，并且 EL 紧张也由于差的接口质量减少了，杂质源于生长打断。CLC 数字 TN305 这个工作被中国(资助号码 60506012 ) 的国家自然科学基础支持，北京教育委员会发现了(没有。KZ200510005003 ）

英文摘要：

InGaN/GaN MQWs structures were grown by MOCVD. The effects of the growth interruption time on the optical and structural properties of InGaN/GaN MQWs were investigated. The experimental results show that the growth interruption can improve the interface quality, increase the intensity of photoluminescence （PL） and electroluminescence （EL）; but if the interruption time was too long, the well thickness and the average In composition of MQWs decreased, and the EL intensity also decreased due to poor interface quality and impurities derived from growth interruption.

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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编：杨乃彬
  • 地址：南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编：210016
  • 邮箱：gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话：025-86858161
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3819
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
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