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生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性
  • ISSN号：1005-0086
  • 期刊名称：《光电子．激光》
  • 时间：0
  • 分类：TN303[电子电信—物理电子学] TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京100022
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（60506012）;北京市教委重点资助项目（KZ200510005003）;北京市人才强教计划资助项目（052002015200504）
作者： 牛南辉[1], 王怀兵[1], 刘建平[1], 刘乃鑫[1], 邢燕辉[1], 韩军[1], 邓军[1], 沈光地[1]
关键词： InGaN/GaN多量子阱(MQW), 光致发光(PL), 电致发光(EL), X射线双晶衍射(DCXRD), 金属有机物化学气相淀积(MOCVD), InGaN/GaN MQW, photoluminescence（PL） , electroluminescenee（EL） , DCXRD, MOCVD
中文摘要：

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN/GaN多量子阱（MQWs）结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响.结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光（PL）与电致发光（EL）强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降.

英文摘要：

InGaN/GaN MQWs structures were grown by MOCVD. The effects of the growth interruption time on the optical and structural properties of InGaN/GaN MQWs were investigated. The growth interruption can improve the interface quali ty, increase the intensity of photoluminescence（PL） and electroluminescence（EL） ; but if the interruption time was too long, the well thickness and the average in composition of MQWs decreased,and the EL intensity also decreased due to poor interace quality and impurity derived by growth interruption.

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期刊信息
  • 《光电子．激光》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:天津市教育委员会
  • 主办单位:天津理工大学 中国光学学会
  • 主编：巴恩旭
  • 地址：天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编：300384
  • 邮箱：baenxu@263.net baenxu@aliyun.com
  • 电话：022-60214470
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-0086
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1182/O4
  • 邮发代号:6-123
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:16551