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氮化硅薄膜热性能测试研究
  • ISSN号:1001-0548
  • 期刊名称:《电子科技大学学报》
  • 时间:0
  • 分类:O484.5[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]电子科技大学光电信息学院,成都610054
  • 相关基金:国家杰出青年基金(60425101);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-04-0896)
中文摘要:

提出了一种可以测试氮化硅薄膜热导、热容的方法。该方法采用微机械加工技术制作成悬空结构,利用Pt薄膜来做加热与测温电阻。设计了合理的测试方案来减小测试过程中Pt薄膜附加热导、热容带来的影响。用Matlab模拟了结构的热响应特性。在Pt薄膜中通入直流电流后,桥面温度逐渐升高,最终达到稳定,在相同的电流输入下,微桥的热容、热导越大,桥面的温升越小。讨论了无效加热电阻和微结构加工工艺对测试精度的影响,并给出了提高测试精确度的方法。

英文摘要:

This paper presents a new approach for measuring the thermal conductance and thermal mass of silicon nitride fill with suspended structure fabricated by micromachining technique. In the structure, the Pt thin film is used as both heater and temperature detector based on its temperature resistance characterization. A reasonable scheme has been designed to reduce the additional thermal conductance and thermal mass introduced by Pt thin film. During the test, when DC current is input in the Pt thin film, the microbridge temperature rises gradually until the system reaches steady. The simulation for the thermal response characterization by Matlab indicates that bigger thermal conductance and thermal mass result in higher microbridge temperature at the steady state. Finally, the impact of invalid heating Pt resistance and microfabrication process on the measurement precision is discussed and the methods to improve the precision are given.

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期刊信息
  • 《电子科技大学学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:国家教育部
  • 主办单位:电子科技大学
  • 主编:周小佳
  • 地址:成都市成华区建设北路二段四号
  • 邮编:610054
  • 邮箱:xuebao@uestc.edu.cn
  • 电话:028-83202308
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-0548
  • 国内统一刊号:ISSN:51-1207/T
  • 邮发代号:62-34
  • 获奖情况:
  • 全国优秀科技期刊,第二届全国优秀科技期刊二等奖,两次获国家新闻出版署、国家教委“全国高校自然科...,中国期刊方阵双百期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),美国数学评论(网络版),德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:12314