位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
电化学腐蚀多孔硅表面形貌的结构
  • 期刊名称：纳米技术与精密工程，2（4）：162-166. 2006
  • 时间：0
  • 相关项目：面向SOC多孔硅绝热微集成热敏元件研究
作者： 梁继然，胡明，窦雁巍
同期刊论文项目
面向SOC多孔硅绝热微集成热敏元件研究
期刊论文 49 会议论文 5
同项目期刊论文
用电化学法制备多孔硅
原电池法制备纳米多孔硅的研究
多孔硅形成过程及孔隙率的模拟
多孔硅层孔隙率对其热绝缘性能的影响
氧化钒/多孔硅/硅结构的微观形貌、纳米力学及温敏特性
两步热处理法对WO3薄膜结构及其气敏性能的影响
多孔硅电学特性研究
基于微结构参数建模的多孔硅绝热层热导率研究
非制冷微测辐射热计支撑层厚度比研究
MEMS中多孔硅绝热技术
多孔硅纵向孔隙率与残余应力分布
常温直流对靶溅射制备高TCR氧化
CMOS MEMS技术的现状及展望,
应用于微电子机械系统中多孔硅的
显微拉曼光谱法对多孔硅热导率的
SO1技术及其发展和应用
Residual Stress on Surface and
An application of Raman spectr
微结构参数对多孔硅层热绝缘性能
基于纳米压痕法的多孔硅硬度和杨
基于热绝缘的多孔硅技术及其在微
Residual Stress Measurement of
基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力
多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的
Study on thermal sensitivity o
多孔硅内部残余应力的研究
热红外探测器的最新进展
Experimental study on mechanic
Preparation of vanadium oxide
SiC薄膜材料在MEMS中应用的研究
电偶腐蚀法制备多孔硅的研究
多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究
双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的孔隙率研究
多孔硅纵向孔隙率与残余应力分布的研究
RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征
SOI技术及其发展和应用
MEMS技术在非制冷热红外探测器中的应用
多孔硅残余应力的研究
多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性
基于微拉曼光谱技术的氧化介孔硅热导率研究
基于纳米压痕法的多孔硅硬度及杨氏模量与微观结构关系研究
双槽电化学腐蚀法制备介孔硅的热导率
显微拉曼光谱法对多孔硅热导率的研究
多孔硅的电化学制备与研究
用于MEMS热敏传感器中绝热层的多孔硅性能研究
常温直流对靶溅射制备高TCR氧化钒薄膜
多孔硅形成过程及孔隙率的计算机模拟