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硅基含铜铁电薄膜异质结集成研究
  • 项目名称：硅基含铜铁电薄膜异质结集成研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60876055
  • 申请代码：F040406
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：刘保亭
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：河北大学
  • 批准年度：2008
中文摘要：

本项目以实现含铜硅基铁电器件尤其是铁电存储器的集成为目的，应用磁控溅射和溶胶凝胶沉积法，借助Ni-Al等金属间化合物薄膜作阻挡层，在硅衬底上生长Cu薄膜，研究Ni-Al等的组分、结晶状态、厚度、杂质含量等对Cu薄膜的结构、界面状态、输运性质等影响，探讨Ni-Al等金属间化合物薄膜用作阻挡层的失效机理。应用透射电镜、X射线衍射等技术研究Cu薄膜上面继续生长氧化物铁电薄膜异质结后的结构、应力、界面、成分等，揭示硅基复合集成异质结的微结构、界面与生长温度等的关系。应用第一性原理研究金属间化合物薄膜杂质的影响和界面性质。通过光刻等手段制备铁电电容器，进行疲劳、保持等铁电性能的研究。本项目的完成可以为金属间化合物阻挡层的研究提供基础，发现能够满足氧化物铁电薄膜异质结、Cu薄膜和Si衬底同时集成的阻挡层材料，对含Cu硅基铁电器件的发展具有重要意义。

中文主题词： 硅基铁电器件；铜工艺；异质结；阻挡层；金属间化合物
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 69
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
（001）高度择优取向Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt异质结的结构及性能
沉积温度对BiFeO3薄膜结构和性能的影响
磁控溅射沉积薄膜实验参数优化光谱诊断
非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的Ba0.6Sr0.4Ti03薄膜的结构及物性影响的研究
外延La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3铁电电容器的结构和物理性能
硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究
硅基BiFe0.95Mn0.05O3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/BiFe0.95Mn0.05O3 集成薄膜的结构与性能研究
沉积温度对磁控溅射生长SrRuO3薄膜结构和性能的影响
玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的制备和铁电性能
脉冲激光沉积法制备的Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜漏电机理研究
Barrier Performance of Various Thick Polycrystalline Ni–Al Films for Integrating PbZr0.4Ti0.6O3 Capa
Thermal – vacancy - assisted phase transition in FePt thin films
Electronic structure and optical properties of substitutional and interstitial phosphor-doped ZnO
沉积温度对磁控溅射法制备的La0.5Sr0.5CoO3薄膜结构和输运性质的影响
Calculations of Hydrogen Diffusion in the Ti(0001)–(1 × 1) Surface by first principles
Amorphous Ni–Al underlayer-accelerated L10 ordering transition of FePt thin films
Oxygen vacancy as fatigue evidence of La0.5Sr0.5CoO3/PbZr0.4Ti0.6O3/La0.5Sr0.5CoO3 capacitor
SrRuO3导电层对Pb(Zr,Ti)O3薄膜性能的影响研究
玻璃基Pt/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/ITO电容器的结构及物理性能研究
退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3铁电电容器结构和性能影响的研究
快速退火处理对Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器结构和性能的影响
Ultrathin amorphous Ni–Ti film as diffusion barrier for Cu interconnection
沉积位置对脉冲激光沉积纳米Si晶薄膜微观结构的影响
磁控溅射沉积薄膜预溅射时间的光谱诊断
非晶Ti-Al过渡层对Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器结构和性能的影响
用于铜互连阻挡层的磁控溅射法制备的Ti-Al薄膜研究
Investigation of amorphous Ni–Al–N film as diffusion barrier between Cu and SiO2
沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响
含Ni-Al阻挡层硅基BiFe0.95Mn0.05O3铁电电容器的结构及物理性能
沉积温度对BiFeO_3薄膜结构和性能的影响
非晶Ni-Al-N薄膜用作Cu互连阻挡层的研究
含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究
紫光对多晶掺锰铁酸铋薄膜铁电和电输运性质的影响
（001）高度择优取向Ba_（0.6）Sr_（0.4）TiO_3/Pt异质结的结构及性能
含铜铁电电容器SrRuO_3/Pb（Zr_（0.4）Ti_（0.6））O_3/SrRuO_3/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si异质结的研究
氮氢混合气氛退火中氢对Bi4Ti3O12铁电性能的影响
溶胶-凝胶法制备BiFeO3薄膜的结构及物性研究
沉积温度对磁控溅射法制备La0．5Sr0．5CoO3薄膜微结构和导电性能的影响
氢对PbZr0．5Ti0．5O3在氮氢混合气氛退火中铁电性能的影响
非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究
La0.5Sr0.5CoO3/Pb（Zr0.4Ti0.6）O3/La0.5Sr0.5CoO3铁电电容器的结构和性能研究
脉冲激光沉积法制备的Pb（Zr0.4Ti0.6）O3铁电薄膜漏电机理
用于Cu互连的Ta/Ti-Al集成薄膜的结构和阻挡性能
硅基BiFe0.95Mn0.05O3/PbZr0.4Ti0.6）O3/BiFe0.95Mn0.05O3集成薄膜的结构及其铂电极电容器的性能
SrRuO3导电层对快速退火制备Pb（Zr,Ti）O3薄膜结构和性能的影响
磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜
快速退火对Pt／BST／Pt电容器结构和性能的影响
退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb（Zr（0.4）,Ti（0.6））O3铁电电容器结构和性能影响的研究
不同电极对外延BiFeO3薄膜铁电性能的影响
光照对BiFe0.95Mn0.05O3薄膜铁电和输运性质的影响
Pb过量对以Ti-Al为阻挡层的硅基铁电电容器极化翻转性能的影响
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