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Band structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k gate dielectric
  • ISSN号:0003-6951
  • 期刊名称:Applied Physics Letters
  • 时间:2010.7.7
  • 页码:012901-
  • 相关项目:铪基稀土金属多元氧化物高K栅介质的基础研究
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