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Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La2Hf2O7 high-k gate dielectric films
  • ISSN号:0169-4332
  • 期刊名称:APPLIED SURFACE SCIENCE
  • 时间:2013.10.10
  • 页码:554-558
  • 相关项目:铪基稀土金属多元氧化物高K栅介质的基础研究
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