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First-Principles Study on Electronic Structure of Gd-Doped HfO2 High k Gate Dielectrics
  • ISSN号:1058-4587
  • 期刊名称:Integrated Ferroelectrics
  • 时间:2012
  • 页码:3-9
  • 相关项目:铪基稀土金属多元氧化物高K栅介质的基础研究
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