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Improved interfacial and electrical properties of atomic layer deposition HfO2 films on Ge with La2O
  • ISSN号:0169-4332
  • 期刊名称:Applied Surface Science
  • 时间:2013
  • 页码:783-786
  • 相关项目:铪基稀土金属多元氧化物高K栅介质的基础研究
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