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HfO2/Al2O3/Ge Gate Stacks with Small Capacitance Equivalent Thickness and Low Interface State Densit
  • 期刊名称:ECS Solid State Letters
  • 时间:2012
  • 页码:10-12
  • 相关项目:铪基稀土金属多元氧化物高K栅介质的基础研究
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