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Design and fabrication of Si LED with the N-well-P^＋ junction based on standard CMOS technology
  • ISSN号：1673-1905
  • 期刊名称：《光电子快报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN312.8[电子电信—物理电子学] TN912.3[电子电信—通信与信息系统;电子电信—信息与通信工程]
  • 作者机构：[1]School of EIectronic and Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China, [2]Institute of Information and Communication, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300160, China, [3]Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China
  • 相关基金：This work has been supported by the National Natural Science Foundation of China （Nos. 60536030,60676038） and the Key Project of Tianjin （No.06YFJZJC00200）.
作者： 杨广华[1,2], 毛陆虹[1], 黄春红[2], 王伟[3], 郭维廉[1]
关键词： 硅发光二极管, CMOS技术, 标准, 设计, 制造, 微米技术, 显微照片, 光谱测试
中文摘要：

E-mail： ygh1818@sina.com

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期刊信息
  • 《光电子快报：英文版》
  • 主管单位:
  • 主办单位:天津理工大学
  • 主编：巴恩旭
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  • 国际标准刊号：ISSN：1673-1905
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1370/TN
  • 邮发代号:6-198
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,英国科学文摘数据库
  • 被引量:147