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共振隧穿晶体管的反相器统一模型
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：84-91
  • 语言：中文
  • 分类：TN313.2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]天津工业大学信息与通讯学院,天津300160, [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072
  • 相关基金：超高速专用集成电路重点实验室基金（批准号：51432010204Jw1401）和国家自然科学基金（批准号：60536030）资助项目
  • 相关项目：硅基单片光电子集成回路（OEIC）的关键技术及相关理论研究
作者： 郭维廉|牛萍娟|苗长云|
关键词： 共振隧穿晶体管, 反相器统一模型, RTT器件结构, RTT, I-V特性, RTT, unified inverter model, device structure of RTT, IoV characteristics of RTT
中文摘要：

综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管（RTT），将其等效为一反相器电路，建立了一个统一的RTT模型．在此模型中，按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性，对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释．该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致．此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具．

英文摘要：

By analyzing resonant tunneling transistors （RTTs） synthesized with different device structures and treating RTTs with different device structures as inverter circuits,a unified inverter model for RTTs is established. In this model, the IoV characteristics of an RTT can be derived and analyzed with the same method used to analyze an inverter. The various IoV characteristics of RTTs with different device structures can then be explained with a unified inverter theory. The results derived by this model are in agreement with those of corresponding circuit simulations and experiments. This unified inverter model of RTTs is a powerful tool for the design and analysis of RTTs.

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