位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析
  • ISSN号：1003-353X
  • 期刊名称：半导体技术
  • 时间：0
  • 页码：411-415
  • 语言：中文
  • 分类：TN256[电子电信—物理电子学] TN305[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]天津工业大学信息与通信工程学院,天津300161, [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072
  • 相关基金：国家自然科学基金资助课题（60536030,60706015）;天津市应用基础及前沿技术研究计划重点项目（06YFJZJC00200,08JCZDJC24100）
  • 相关项目：与CMOS工艺兼容硅基PERL结构发光二极管（LED）的研究
作者： 郭维廉|王伟|黄春红|毛陆虹|杨广华|
关键词： 硅发光二极管, CMOS标准工艺, 侧面发光, 辐射亮度, 发光峰值, Si LED, standard CMOS technology, side emitting, radiant intensity, emitting peak value
中文摘要：

描述了用于制备SiLED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素。介绍了采用新加坡Charter公司的0.35μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型SiLED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的是尽可能大的提高侧面发光效率。在对器件进行了电学和光学特性的测量后,得到了SiLED发光及实际版图的显微图形以及器件的正反向I-V特性和发光光谱。器件在室温下反向偏置,50mA电流下所得辐射亮度值为14.43nW,发光峰值在772nm处。

英文摘要：

The characteristics and emitting principle of Si materials and devices for fabricating Si LED were described, the factors which affect Si LED emitting were analyzed. A U type Si LED was designed and manufactured with Charter 0.35 μm standard CMOS technology in Singapore to improve the efficiency of Si LED side emitting. After the LED was tested, the micrographs of Si LED emitting and layout were obtained, and the Ⅰ-Ⅴ characteristic and spectra of Si LED were presented. At room temperature, the Si LED is reverse biased. Its radiant intensity is 14.43 nW at 50 mA and the emitting peak value is located at 772 nm.

同期刊论文项目
硅基单片光电子集成回路（OEIC）的关键技术及相关理论研究
期刊论文 67 会议论文 19 专利 17 著作 1
与CMOS工艺兼容硅基PERL结构发光二极管（LED）的研究
期刊论文 14 会议论文 3 专利 2
同项目期刊论文
基于CMOS工艺的Si-LED器件设计与测试
基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件
PERL Si基LED的几种关键技术分析
Si基发光的研究进展
Applications of Inverted Pyramids Corrodeed by TMAH in Perl Silicon LED
Simulation and Design of a High Responsibility PIN Photodetector
Design and fabrication of a gate controlled Si LED based on standard CMOS technology
Design and analysis of a forked n-well and p-sub junction Si LED based on standard CMOS technology
电极布局对硅LED性能的影响
共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点
Applications of Inverted Pyramids Corroded by TMAH in PERL Silicon LED
硅基环形电-光调制器的理论分析和性能优化
An approach to the optical interconnect made in standard process
1-GB/s Zero-Pole Cancellation CMOS Transimpedance Amplifier for Gigabit Ethernet Applications
标准 CMOS 工艺 U 型硅 LED 器件发光分析
一种新颖全差分光电集成接收机的标准CMOS实现
全硅片上光互连用波导
Si 基单片集成光电探测器接收机设计
Review on silicon photonics devices compatible with standard integrated
硅基光电子集成回路的研究
近红外锗硅光电探测器的研究进展
An Optoelectronic Pulse Frequency Modulation Circuit for Retinal Prosthesis
硅基 CMOS 工艺发光器件
用于喇曼放大的 SOI 脊形波导中自由载流子寿命的解析表达
双沟道实空间转移晶体管（ RSTT ）的研制
Concept and design of a novel high-bandwidth, high-sensitivity differential receiver for optical int
高锗组分 PIN 锗硅光电探测器设计与模拟
Silicon Light Emitting Devices in CMOS Technology
硅基 PIN 光电探测器的设计与模拟
平面型 RTD 与 BJT 构成的串联单元特性分析
前均衡 CMOS 光电集成接收机概念的提出和模拟
A High Speed,12-Channel Parallel, Monolithic Integrated CMOS OEIC Receiver
用于制备硅 LED 的太阳能电池技术
Silicon light Emitting Device in CMOS Technology
Fully differential optoelectronic integrated receiver implemented by 0.35um standard CMOS process
RTD/HEMT 单片集成中 RTD 直流参数与材料结构的关系
一种测量 RTD 串联电阻的新方法
Calculation of model parameters of dislocation-rich silicon emitting device based on exciton theory
RTD 振荡特性的模拟与研究
基于标准 CMOS 工艺的 Si 基光发射器件
Sensitivity design for a CMOS optoelectronic integrated circuit receiver
共振隧穿晶体管的反相器统一模型
由 RTD/MOSFET 构成的新型振荡电路
Design and implementation of an optoelectronic integrated receiver in standard CMOS process
带浅沟槽隔离的双光电二极管电路模型研究
长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
A flexible logic circuit based on a MOS-NDR transistor in standard CMOS technology
高性能硅基MOS电光相位调制器
条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析
标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备
可应用于光互连的新型高带宽、高灵敏度差分光接收机的概念提出与设计
An approach to the optical interconnect made in standard CMOS process
A monolithic,standard CMOS,fully differential optical receiver with an integrated MSM photodetector
A 1.5 Gb/s monolithically integrated optical receiver in the standard CMOS process
高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现
高灵敏度CMOS光电集成接收机设计
用于制备硅LED的太阳能电池技术
光调制器综述
Fully differential optoelectronic integrated receiver implemented by 0.35μm standard CMOS process
Design and fabrication of Si LED with the N-well-P^＋ junction based on standard CMOS technology
基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算
MS／RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
由RTD／MOSFET构成的新型振荡电路
适用于神经接口的硅基微电极制作
用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达
硅基PIN光电探测器的设计与模拟
双沟道实空间转移晶体管（RSTT）的研制
与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究
RTD振荡特性的模拟与研究
神经记录用硅基多通道微电极探针的设计与制造
用于神经电信号记录的多通道微探针
Research on Electric Field Confinement Effect in Silicon LED Fabricated by Standard CMOS Technology
一种高灵敏度大动态范围读出电路
Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology
期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：赵小玲
  • 地址：石家庄179信箱46分箱
  • 邮编：050051
  • 邮箱：informax@heinfo.net
  • 电话：0311-87091339
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-353X
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:6070