位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
一种高灵敏度大动态范围读出电路
  • ISSN号：1681-5289
  • 期刊名称：《中国集成电路》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083
  • 相关基金：国家自然科学基金（资助号：60536030,60877035,60976026）;国家重点基础研究发展计划（973）（资助号：2011CB933203,2011CB933102）.
作者： 韩建强[1], 黄北举[1], 关宁[1], 陈弘达[1]
关键词： 光电探测器, 灵敏度, 动态范围, 读出电路, 增益可调放大器
中文摘要：

为读出光电探测器微弱的响应电流,设计了一种增益自动可调列放大器,提高了读出电路的灵敏度和动态范围,读出电路的动态范围提高了24dB,读出电路功耗为230μW,满足探测器读出要求。读出电路的输出信号可以根据应用要求分别采用线性法和非线性法重建。

同期刊论文项目
光控电刺激微芯片及其与视网膜的相互作用
期刊论文 13 会议论文 6 专利 1
硅基单片光电子集成回路（OEIC）的关键技术及相关理论研究
期刊论文 67 会议论文 19 专利 17 著作 1
生物医学用植入式无线能量传输及射频集成电路的研究
期刊论文 17 会议论文 12 专利 13
同项目期刊论文
CMOS implementation of a low-power BPSK demodulator for wireless implantable neural command transmis
A 1.2V 8-bit 1MS/s SAR ADC with Res-Cap segment DAC for temperature sensor in LTE
一种高精度低成本10位D/A转换器的设计与实现
Low-power switched-capacitor delta–sigma modulator for EEG recording applications
神经接口专用集成电路研究
Low-power switched-capacitor delta-sigma modulator for EEG recording applications
Low power CMOS preamplifier for neural recording applications
多通道实时神经信号采集与峰电位检测系统
An integrated device for patterning cells and selectively detaching
CMOS image sensor with optimal video sampling scheme
Compact low-power CMOS squarer for high-speed noncoherent UWB receiver
应用于 SAR ADC 的高能效电容阵列 DAC
新型高线性度双平衡CMOS混频器芯片的设计
Low-power switched-capacitor delta-sigma modulator for EEG recording applications
Low power CMOS preamplifier for neural recording applications
基于干电极的头带式射频无线脑-机接口系统
基于聚酰亚胺的神经微电极的制备及特性研究
视网膜假体的研究进展
Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology
标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析
硅基环形电-光调制器的理论分析和性能优化
An approach to the optical interconnect made in standard process
1-GB/s Zero-Pole Cancellation CMOS Transimpedance Amplifier for Gigabit Ethernet Applications
标准 CMOS 工艺 U 型硅 LED 器件发光分析
一种新颖全差分光电集成接收机的标准CMOS实现
全硅片上光互连用波导
Si 基单片集成光电探测器接收机设计
Review on silicon photonics devices compatible with standard integrated
硅基光电子集成回路的研究
近红外锗硅光电探测器的研究进展
An Optoelectronic Pulse Frequency Modulation Circuit for Retinal Prosthesis
硅基 CMOS 工艺发光器件
用于喇曼放大的 SOI 脊形波导中自由载流子寿命的解析表达
双沟道实空间转移晶体管（ RSTT ）的研制
Concept and design of a novel high-bandwidth, high-sensitivity differential receiver for optical int
高锗组分 PIN 锗硅光电探测器设计与模拟
Silicon Light Emitting Devices in CMOS Technology
硅基 PIN 光电探测器的设计与模拟
平面型 RTD 与 BJT 构成的串联单元特性分析
前均衡 CMOS 光电集成接收机概念的提出和模拟
A High Speed,12-Channel Parallel, Monolithic Integrated CMOS OEIC Receiver
用于制备硅 LED 的太阳能电池技术
Silicon light Emitting Device in CMOS Technology
Fully differential optoelectronic integrated receiver implemented by 0.35um standard CMOS process
RTD/HEMT 单片集成中 RTD 直流参数与材料结构的关系
Fabrication of Dry Electrode for Recording Bio-potentials
Implantable CMOS neuro-stimulus chip for visual prosthesis
Investigation of flexible electrodes modified by TiN, Pt black and IrO x
一种用于SARADC的高能效高面效DAC
一种测量 RTD 串联电阻的新方法
Calculation of model parameters of dislocation-rich silicon emitting device based on exciton theory
RTD 振荡特性的模拟与研究
基于标准 CMOS 工艺的 Si 基光发射器件
Sensitivity design for a CMOS optoelectronic integrated circuit receiver
共振隧穿晶体管的反相器统一模型
由 RTD/MOSFET 构成的新型振荡电路
Design and implementation of an optoelectronic integrated receiver in standard CMOS process
带浅沟槽隔离的双光电二极管电路模型研究
长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
A flexible logic circuit based on a MOS-NDR transistor in standard CMOS technology
高性能硅基MOS电光相位调制器
条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析
标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备
可应用于光互连的新型高带宽、高灵敏度差分光接收机的概念提出与设计
An approach to the optical interconnect made in standard CMOS process
A monolithic,standard CMOS,fully differential optical receiver with an integrated MSM photodetector
A 1.5 Gb/s monolithically integrated optical receiver in the standard CMOS process
高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现
高灵敏度CMOS光电集成接收机设计
用于制备硅LED的太阳能电池技术
光调制器综述
Fully differential optoelectronic integrated receiver implemented by 0.35μm standard CMOS process
Design and fabrication of Si LED with the N-well-P^＋ junction based on standard CMOS technology
基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算
MS／RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
由RTD／MOSFET构成的新型振荡电路
适用于神经接口的硅基微电极制作
用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达
硅基PIN光电探测器的设计与模拟
双沟道实空间转移晶体管（RSTT）的研制
与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究
RTD振荡特性的模拟与研究
神经记录用硅基多通道微电极探针的设计与制造
用于神经电信号记录的多通道微探针
Research on Electric Field Confinement Effect in Silicon LED Fabricated by Standard CMOS Technology
Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology
期刊信息
  • 《中国集成电路》
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国半导体行业协会
  • 主编：王正华 魏少军
  • 地址：北京市顺义区仁和镇顺和花园一区15号楼二单元501室
  • 邮编：101300
  • 邮箱：Wangzh@cidc.com.cn
  • 电话：010-64372248
  • 国际标准刊号：ISSN：1681-5289
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5209/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:1517