A flexible logic circuit based on a MOS-NDR transistor in standard CMOS technology
- ISSN号：1674-4926
- 期刊名称：《半导体学报：英文版》
- 时间：0
- 分类：TN929.11[电子电信—通信与信息系统;电子电信—信息与通信工程] TP332[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
- 作者机构：[1]State Key Laboratory for Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China, [2]School of Information and Communication, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300160, China
- 相关基金：supported by the National Natural Science Foundation of China（Nos.60536030 60502005）; the National High Technology Research and Development Program of China（Nos.2007AA01Z2A5 2006AA01Z239 2007AA03Z454）.
关键词：
金属氧化物半导体场效应晶体管, CMOS工艺, 逻辑电路, 使用标准, 马鞍山, 基础, 集成电路设计, 制造过程, MOS-NDR, CMOS, resonant tunneling diode, monostable-bistable transition logic element, flexible logic gate
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