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应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.1[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093
  • 相关基金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142).国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目
作者： 王琦[1], 王荣华[1], 夏冬梅[1], 郑有炓[1], 韩平[1], 俞慧强[1], 梅琴[1], 谢自力[1], 修向前[1], 朱顺明[1], 顾书林[1], 施毅[1], 张荣[1]
关键词： 应变Si, SIC, 化学气相沉积, 霍尔迁移率
中文摘要：

用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754