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微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究
  • ISSN号:0253-4177
  • 期刊名称:半导体学报
  • 时间:0
  • 页码:1030-1033
  • 语言:中文
  • 分类:TN304.1[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071
  • 相关基金:国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202,G2000028203),天津市科技攻关(批准号:043186511)和国家自然科学基金(批准号: 60506003)资助项目.致谢 感谢中国-希腊政府间合作项目对本论文的支持.
  • 相关项目:采用二维自适应流体模型对高速率微晶硅生长机理的研究
中文摘要:

对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度.

英文摘要:

The structure of microcrystalline silicon thin film solar cells prepared by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition,is studied. Raman measurements indicate that there is an amorphous incubation layer at the p/i interface in the solar cells. The thickness of the incubation layer increases with increasing silane concentration and decreasing discharge power. A suitable silane concentration and discharge power can be used to reduce the thickness of the incubation layer.

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