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1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用
  • ISSN号:1674-4926
  • 期刊名称:《半导体学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TN304.1[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071
  • 相关基金:国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202600),国家自然科学基金(批准号:60506003),天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01600),中国-希腊政府间合作基金和新世纪优秀人才计划资助项目
中文摘要:

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料,材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/s高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达6.3%的高沉积速率微晶硅太阳电池。

英文摘要:

A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition at different silane concentrations using relatively high pressure and power. The deposition rate of the materials increases with the increase of the silane concentration. Through analysis of the structural and electrical properties of the materials, it can be concluded that with a high depositian rate (above lnm/s), device-quality microcrystalline silicon is obtained. As a result,a microcrystalline silicon solar cell with 6.3% conversion efficiency is obtained.

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期刊信息
  • 《半导体学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编:李树深
  • 地址:北京912信箱
  • 邮编:100083
  • 邮箱:cjs@semi.ac.cn
  • 电话:010-82304277
  • 国际标准刊号:ISSN:1674-4926
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:7754