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a-Si/μc-Si叠层电池中间层材料SiOx:H制备研究
  • ISSN号:1005-0086
  • 期刊名称:《光电子.激光》
  • 时间:0
  • 分类:O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071
  • 相关基金:国家高技术研究发展规划资助项目(2007AA052436,2009AA050602);国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602,2006CB202603);国家自然科学基金资助项目(60506003);科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390);天津科技支撑资助项目(08ZCKFGX03500);教育部新世纪人才计划资助项目;南开大学博士启动基金资助项目(J02031)感谢上海莱特太平洋公司苏德荣提供椭偏谱测试数据及其在数据建模分析的帮助.
中文摘要:

为提高a-Si/μc-Si叠层太阳电池的效率,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了系列n型掺磷硅氧(SiOx:H)薄膜作为中间层,研究了CO2/Si H4气体流量比、沉积功率和PH3掺杂浓度等工艺参数对材料光电特性的影响,获得了折射率、电导率和禁带宽度能够在较大范围内调控的SiOx:H薄膜。

英文摘要:

To improve the stable efficiency of a micromorph silicon tandem solar cell,series of phosphorous doped silicon oxide films were fabricated by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD).By varying the influences of process parameters,such as the CO2/SiH4 gas flow ratio,deposition power and phosphorus doping ratio,on the material optical and electrical properties are discussed.The silicon oxide films whose properties can be controlled in a wide range are obtained.

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期刊信息
  • 《光电子.激光》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:天津市教育委员会
  • 主办单位:天津理工大学 中国光学学会
  • 主编:巴恩旭
  • 地址:天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编:300384
  • 邮箱:baenxu@263.net baenxu@aliyun.com
  • 电话:022-60214470
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-0086
  • 国内统一刊号:ISSN:12-1182/O4
  • 邮发代号:6-123
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:16551