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Effects of Annealing Temperature on Properties of ZnO Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition
  • ISSN号:1007-0206
  • 期刊名称:《半导体光子学与技术:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TN304.21[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]Institute of Semiconductors, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
  • 相关基金:National Natural Science Foundation of China(90301002, 90201025)
中文摘要:

ZnO 薄膜在 n-Si (111 ) 上被扔由搏动的激光免职(PLD ) 的底层系统。然后,样品在周围的空中在不同温度被退火,他们的性质特别地作为退火的功能被调查温度。Themicrostructure,形态学和成长得当的 ZnO 电影的光性质被学习由 X-raydiffraction (XRD ) ,原子力量显微镜(AFM ) , Fourier 红外线分光镜(FTIR ) 和光致发光(PL ) 系列。结果证明成长得当的 ZnO 电影与比较喜欢的 c 轴取向有 hexagonalwurtzite 结构。而且, ZnOcrystallites 的直径变得更大, ZnO 电影的水晶质量随退火的增加被改进温度。

英文摘要:

ZnO thin films are deposited on n-Si(111) substrates by pulsed laser deposition(PLD) system. Then the samples are annealed at different temperatures in air ambient and their properties are investigated particularly as a function of annealing temperature. The microstructure, morphology and optical properties of the as-grown ZnO films are studied by X-ray diffraetion(XRD). atomic force mieroseope(AFM), Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) and photoluminescence(PL) spectra. The results show that the as- grown ZnO films have a hexagonal wurtzite structure with a preferred c-axis orientation. Moreover, the diameters of the ZnO crystallites become larger and the crystal quality of the ZnO fihns is improved with the increase of annealing temperature.

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期刊信息
  • 《半导体光子学与技术:英文版》
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:重庆光电技术研究所
  • 主编:刘俊刚
  • 地址:重庆南坪花园路14号44所(南坪2514信箱)
  • 邮编:400060
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  • 国际标准刊号:ISSN:1007-0206
  • 国内统一刊号:ISSN:
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1999年获重庆市首届期刊质评质优期刊奖,2000年获《CAJ-CD规范》执行优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),日本日本科学技术振兴机构数据库
  • 被引量:20