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中文摘要：
采用磁控溅射的方法在Si（111）衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜，并通过氨化的方法在Si（111）衬底上获得了GaN纳米结构材料，研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收（FTIR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）以及高分辨电镜（HR-TEM）测试，分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响。结果表明，用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒。
英文摘要：
Ga2O3/Al films were deposited on the Si（111） substrates by magnetron sputtering and we got many kinds of GaN nanostructures by annealing the Ga2O3/Al films at different temperature.Effects of different annealing temperature on fabrication of GaN nanostructures were studied.The as-grown GaN nanostructures are characterized by X-ray diffraction,fourier transform infrared spectroscopy,scanning electron microscopy,transmission electron microscopy and high resolution transmission electron microscopy.The results demonstrate that we got a lot of hexagonal wurtzite single crystal GaN nanorods at the annealing temperature of 950℃.
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