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氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线
  • ISSN号：1003-8213
  • 期刊名称：《微细加工技术》
  • 时间：0
  • 分类：TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014
  • 相关基金：国家重大自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
作者： 李红[1], 薛成山[1], 庄惠照[1], 张晓凯[1], 陈金华[1], 杨兆柱[1], 秦丽霞[1]
关键词： 氮化镓, 磁控溅射, 纳米线
中文摘要：

利用磁控溅射技术在Si衬底上制备Ga2O3/Ta薄膜,然后在900℃、氨气中退火合成了大量的一维单晶氮化镓纳米线.用X射线衍射、扫描电子显微镜、傅里叶红外吸收光谱、透射电子显微镜、选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征.结果表明,制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约为50 nm,最大长度可达8 μm左右.室温下光致发光谱的测试发现了364 nm处有较强紫外发光峰.

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期刊信息
  • 《微细加工技术》
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第48研究所
  • 主编：伍三忠
  • 地址：长沙市第96号信箱301分箱（长沙黑石铺）
  • 邮编：410111
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  • 国际标准刊号：ISSN：1003-8213
  • 国内统一刊号：ISSN：43-1140/TN
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  • 中文核心期刊,国家一级检索刊物用刊
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  • 荷兰文摘与引文数据库
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