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中文摘要：
研究了Ga2O3/In2O3膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射（XRD）,傅里叶红外吸收（FTIR）,扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）对样品进行结构、形貌的分析。测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好。
英文摘要：
GaN films were synthesized by ammoniating Ga2O3/In2O3 films deposited on Si（111） suostrates. Tne samples were characterized by X-ray diffraction （XRD）, fourier transformed spetra （FTIR）, scanning electron microscopy （SEM） ,transmission electron microscopy （TEM）. The results show that the films synthesized were hexagonal GaN struture.
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