欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
中文摘要：
镓氮化物的大数量(轧) nanowires 经由 Ga2O3 电影在一个石英试管在 950 点在氧化的铝层上扔了的 ammoniating 被准备了。当水晶的 wurtzite 由 X 光检查衍射， X 光检查光电子 spectrometry 扫描电子显微镜和精选区域的电子衍射轧了， nanowires 被证实了。传播电子显微镜(TEM ) 和扫描电子显微镜学(SEM ) 表明 nanowires 非结晶、不规则，与从 30nm 到直到十微米的 80nm 和长度的直径。精选区域的电子衍射显示有六角形的 wurtzite 结构的 nanowire 是单身者水晶。生长机制简短被讨论。
英文摘要：
Large quantities of gallium nitride（GaN） nanowires have been prepared via ammoniating the Ga2O3 films deposited on the oxidized aluminum layer at 950℃ in a quartz tube. The nanowires have been confirmed as crystalline wurtzite GaN by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectrometry scanning electron microscope and selected-area electron diffraction. Transmission electron microscope （TEM） and scanning electron microscopy（SEM） reveal that the nanowires are amorphous and irregular, with diameters ranging from 30 nm to 80 nm and lengths up to tens of microns. Selected-area electron diffraction indicates that the nanowire with the hexagonal wurtzite structure is the single crystalline. The growth mechanism is discussed briefly.
同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
位置：