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衬底温度对PLD方法生长Si(111)基
  • 期刊名称：稀有金属材料与工程 35(7): 1105-1108, 2006 (SCI收录)
  • 时间：0
  • 相关项目：Si基溅射ZnO/Ga2O3膜反应自组GaN晶体膜的研究
作者： 庄惠照，何建廷，薛成山，张晓凯
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