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中文摘要：
通过在1000℃下氨化锰掺杂Ga2O3薄膜制备了大量GaMnN纳米条。采用此法得到的剑状Mn掺杂GaN纳米条是六方纤锌矿结构，Mn的原子百分比是5．43％，纳米条的厚度大约为100nm，宽度为200—400nm。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线光电子能谱（XPS）和荧光分光光度计（PL）用于表征所制备纳米条形貌及光学性质。室温下以325nm波长的光激发样品表面，发现由于Mn的掺杂使GaN的发光峰有较大的红移。最后，简单讨论了GaN纳米条的生长机制。
英文摘要：
We propose a new approach for large-scale manufacture of GaMnN nanobars by ammoniated Mn doped Ga2O3 films at 1000℃. The obtained sword-like Mn-doped GaN nanobars are single-crystal hexagonal structure and the atom percentage of Mn is 5.43%. Their thickness and width are approximately 100 nm and 200 -400 nm. These nanobars are characterized with X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscope （SEM）, X-ray photoelectron spectroscopy （XPS）, high-resolution transmission eleetron microscopy （HRTEM） and photoluminescence （PL）. The GaN nanobars exhibit two emission bands with two well-defined PL peaks at 388 nm and 409 nm. The significant red-shift manifests for the photoluminescence of GaN due to Mn doping. We also briefly discuss the growth mechanism of crystalline GaN nanobars.
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