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纳米制造中的计量溯源与测试理论研究
  • 项目名称:纳米制造中的计量溯源与测试理论研究
  • 项目类别:重大研究计划
  • 批准号:90923001
  • 申请代码:E051203
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2010-01-01-2013-12-31
  • 项目负责人:蒋庄德
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:西安交通大学
  • 批准年度:2009
中文摘要:

纳米计量溯源与测试理论是纳米制造过程、纳米器件/系统性能测试和材料选择等的关键环节和联系纽带,需要进行系统的理论研究。本项目的主要研究内容包括纳米样板的制备与量值溯源,研制能溯源到光波波长的名义尺寸小于10nm的各种纳米结构样板,并对其不确定度进行分析;对纳米器件中的线边缘、线宽、侧壁、界面和表面等纳米粗糙度进行分析和表征,构造评定基准的数学模型,提出相应的测量操作规范,并研究纳米粗糙度对高k氧化铪和铋基焦绿石等栅介质、ZnO场效应器件、铁电存储器电特性参数的影响规律;对扫描电子显微镜的测量精度及其立体成像技术进行研究,用于高深宽比纳米结构侧壁几何参数的提取和表征、聚焦离子束加工过程的精确控制。通过本项目的研究,将初步建立纳米样板的制备与溯源、纳米粗糙度的分析与表征、纳米粗糙度与纳米器件/系统性能的关系、纳米结构侧壁几何特征参数的测试等标准评价体系,满足纳米制造技术发展的需要。

结论摘要:

本项目针对纳米样板的制备与测量比对、纳米粗糙度的分析与表征、纳米粗糙度与纳米器件/系统性能的关系、纳米结构侧壁几何特征参数的测试等标准评价体系,主要开展了以下研究采用分子束外延(MBE)技术制备出了公称尺寸小于10nm的线宽样板(线宽分别为2nm、4nm、6nm和8nm)和节距样板(节距为3nm)、采用等离子体刻蚀(ICP)方法制备出了100nm的纳米单台阶、采用聚焦离子束(FIB)制备出了50+50nm的纳米双台阶样板、采用原子层沉积(ALD)方法制备出了8nm、18nm和44nm的纳米台阶高度样板,并进行国内外测量比对;对LER/LWR进行分析和表征,得到了LER/LWR的量化表征参数体系,建立了基于Motif参数的纳米粗糙度表征方法,并基于新一代GPS技术确立了SEM/TEM的纳米粗糙度测量不确定度的传递模型,对纳米粗糙度的GPS不确定度进行了分析和估计,并开发了一套基于新一代GPS的纳米粗糙度数字化计量工具软件系统;制备了高k栅介质氧化铪(HfO2)薄膜、铋基焦绿石(BZN)介电薄膜、铁电锆钛酸铅(PZT)薄膜、基于BZN栅介质的氧化锌(ZnO)场效应原型器件、基于PZT薄膜的晶体管(TFT)等一批电介质薄膜和电子器件,研究了工艺参数、薄膜表面形貌、表面和界面粗糙度等与其电学性能之间的关系;采用FIB制备了高深宽比纳米结构、采用纳米球刻蚀技术(NSL)制备了高度有序纳米孔、纳米谐振腔、大面积三角纳米柱阵列等结构,研究了不同纳米结构的制备工艺,纳米球直径、纳米球模板、制备工艺参数等与纳米结构的关系,研究了由二维断层截面图构造三维数学模型的技术和方法,采用SEM立体成像方法实现了SEM三维图像的重构;采用电子束直写(EBL)工艺在抗蚀剂上制备出了纳米栅线结构,按照新一代GPS的操作和算子理论,对其SEM图像进行了提取、滤波、拟合等的预处理操作,建立了纳米粗糙度的测量不确定度传播模型,并量化研究了SEM的测量不确定度。 课题已经发表论文122篇(均标注了基金号),其中被SCI、EI、ISTP收录93篇(SCI收录66篇);撰写英文专著1本,参与撰写国外专著3章节;申请国家发明专利16项,其中授权5项;培养毕业研究生41名(毕业博士研究生19名,其中1人获陕西省优秀博士学位论文)。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 90
  • 38
  • 0
  • 0
  • 1
期刊论文
会议论文
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